2026.10.29 실적 발표 콜 — GaN-on-silicon 제조 협력 발표
Atomera는 현재 4곳 중 3곳의 gate-all-around 고객사와 협력 중이라고 밝혔어요.
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핵심 발언
"현재 4곳 중 3곳의 gate-all-around 고객사와 협력하고 있고, 나머지 1곳과도 계속 논의 중이에요."
"MST 기반 수직 트랜지스터는 4F 제곱이 요구하는 구동 전류와 누설 전류 목표를 맞추면서도 비용이 많이 드는 공정 단계를 줄일 수 있어요."
"이번 분기에는 새로운 소식이 있었어요. 지난주에 발표한 IQE와의 공동 개발 계약을 통해 MST 기반 GaN-on-silicon의 제조로 나아가는 길을 열었어요."
질문과 답 1
gate-all-around 등 기술 개발 상황
질문 (Richard Shannon): gate-all-around 기술 개발 상황과 주요 이정표, 그리고 세 번째 고객이 왜 본격적으로 참여하게 됐는지 물었어요. DRAM 개발 시기, IQE와의 GaN(질화갈륨) 협력, RF-SOI(고주파 실리콘온인슐레이터) 양산 준비와 Prima 적용 사례, 내년 인력 증가 계획도 물었어요.
답: gate-all-around 예시 제품에 MST를 적용한 모습을 보여줬고, 고객 4곳 중 3곳과 협력 중이라고 했어요. 이 중 2곳과는 밀접하게 통합 작업을 하고 있고, 한 곳은 초기 단계라고 했어요. 주요 이정표로는 실제 제품 검사, 전기적 결과, 확산 차단 등이 있다고 했어요. DRAM 관련 작업은 아직 초기 단계이고, Prima 웨이퍼 솔루션 덕분에 평가가 쉬워졌다고 했어요. GaN(질화갈륨) 분야에서는 IQE가 가능성을 보고 있고, 이 작업은 수년이 아니라 단기적으로 진행된다고 했어요. RF-SOI 기술은 이미 검증됐지만, 대량 생산을 위해서는 MST 처리량을 더 높여야 하고, 이를 위해 대기압 장비를 쓸 수도 있다고 했어요. 인력은 당장 늘릴 계획이 없지만, 현장 설치를 위해 운영 인력을 추가할 수 있다고 했어요. 인플레이션과 공급망 부담 때문에 변동비가 오르고 있다고 했어요.
"네, 고객 두 곳과는 지금 그 한가운데에 있다고 말씀드릴 수 있어요." — Scott Bibaud (CEO)